瑞薩溢價35%併購Transphorm！強化第三類半導體GaN技術 一文看懂台廠布局最新動態
日本車用半導體IDM龍頭瑞薩，為了拓展功率半導體以及第三類半導體布局，宣布以每股5.1美元的價格取得氮化鎵(GaN)IDM廠商Transphorm已發行的所有普通股，收購總額約3.39億美元，以Transphorm 1月10日收盤價3.79美元來看、瑞薩開出的收購價溢價約35%。此消息一出，激勵昨晚(11)日Transphorm股價暴漲25.86%。
過去瑞薩主要著墨於車用MCU，但有鑑於電動車對於功率半導體需求大增，近來瑞薩也積極發展相關業務。去年瑞薩與碳化矽(SiC)基板龍頭Wolfspeed合作，Wolfspeed將在未來十年為瑞薩提供碳化矽裸晶（bare）及磊晶（epitaxial）晶圓。Wolfspeed供應的優質碳化矽晶圓，可讓瑞薩於2025年開始量產碳化矽功率半導體。
因應5G、電動車時代來臨，對於高頻、高壓功率元件需求大增，帶動氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)等寬能隙半導體材料興起。相較於矽基元件，GaN元件切換速度增快達十倍，同時可以在更高的最高溫度下運作，這些強大的材料本質特性讓GaN廣泛適用於具備100V與650V兩種電壓範疇持續成長的汽車、工業、電信、以及特定消費性電子應用產品。
根據資策會(MIC)資料統計，2022年全球GaN功率元件市占率，前七大廠商分別為 Power Integrations、Navitas、EPC、GaN Systems、Innoscience、Transphorm與Infineon；其中，GaN Systems日前已被Infineon收購。相較於SiC，GaN市場規模較小，根據市調機構Yole Group預估，GaN功率元件的市場規模，將在2027年達到20億美元。在2021-2027年間，整體GaN功率元件市場的複合年成長率（CAGR）為59%。
目前國內不少廠商也積極投入GaN，最上游基板廠環球晶、磊晶嘉晶、全新、晶圓代工台積電、世界、漢磊投控、台亞、晶成、聯穎等；以及IDM廠商全訊等。其中，晶圓代工龍頭台積電早在2020年就與功率半導體IDM大廠意法半導體攜手合作開發GaN製程技術，包括: GaN Systems、Navitas等都是台積電的客戶。
聯電也透過轉投資的6吋廠聯穎光電進軍氮化鎵晶圓代工，聯手建置技術平台，供客戶設計導入，並與知名的氮化鎵設計公司展開研發8吋代工製程；建置晶圓廠代工技術與產能之外，聯電與策略結盟夥伴封測廠頎邦，也會展開GaN後段的代工合作。
8吋晶圓代工廠世界於2018年以Qromis基板技術（簡稱QST）進行8吋QST基板的0.35微米650V電壓的GaN-on-QST製程開發。QST基板相較於以矽（Si）作為基板，具有與氮化鎵磊晶層更匹配的熱膨脹係數（CTE），在製程中堆疊氮化鎵的同時，也能降低翹曲（warpage）破片，更有利於實現量產。日前GaN大廠EPC與晶圓代工廠世界共同宣布簽訂未來數年的8吋氮化鎵功率元件量產合作協議，EPC將採用世界先進高品質製造能力來提升高性能氮化鎵電晶體和IC產能。